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Photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46
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Photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46

Box Optronics fournit la photodiode PIN InGaAs TO46 de 1 mm, conçue pour la détection proche infrarouge haute sensibilité sur la bande de longueurs d'onde de 900 nm à 1 650 nm. Doté d'une réactivité élevée (généralement 0,95 A/W à 1 550 nm), d'un faible courant d'obscurité et d'une faible capacité. Logée dans un boîtier métallique TO46 compact et hermétiquement fermé avec une fenêtre plate, la photodiode offre un fonctionnement fiable à long terme sur une plage de températures étendue de -40°C à +85°C. Idéal pour l'intégration dans des wattmètres optiques, des instruments de test et des systèmes de communication à fibre optique.

Présentation du produit - Photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


La photodiode PIN InGaAs de 1 mm (modèle BPD-1STO46B-FW) de Box Optronics est un photodétecteur InGaAs haute performance conçu pour les applications de détection dans le proche infrarouge (NIR). Doté d'une structure de diode PIN, il convertit la puissance optique incidente dans la plage de longueurs d'onde de 900 à 1 650 nm en un photocourant proportionnel présentant une linéarité et une sensibilité élevées. Doté d'une zone active de 1 mm de diamètre. Emballée dans un boîtier métallique hermétique TO46 doté d'une fenêtre optique plate, la photodiode est mécaniquement robuste, garantissant des performances stables dans des conditions industrielles et de laboratoire exigeantes. Ces attributs en font un excellent choix pour la surveillance de la puissance optique, les mesures de test de fibre optique, la détection laser et la spectroscopie NIR.


Caractéristiques principales : photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


• Diamètre de la zone active : 1 mm pour une collecte efficace de la lumière

• Large plage de réponse spectrale : 900 nm à 1 650 nm

• Haute réactivité : 0,9 A/W typique à 1 310 nm, 0,95 A/W à 1 550 nm

• Courant d'obscurité ultra faible, faible capacité de jonction

• Haute fiabilité et stabilité à long terme

• Boîtier métallique hermétique TO46 à fenêtre plate

• Configuration TO-CAN standard pour un montage facile


Applications typiques : photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


• Compteurs de puissance optique et modules de surveillance de la puissance optique

• Équipements de test et de mesure de fibre optique

• Détection de signaux optiques et surveillance de l'alimentation dans les systèmes de télécommunications

• Instruments de spectroscopie et d'analyse dans le proche infrarouge (NIR)

• Systèmes de surveillance et de contrôle de la puissance laser

• Étalonnage et caractérisation de l'atténuateur optique

• Recherche et développement dans les laboratoires de photonique

• Intégration de modules optiques et développement de sous-systèmes photoniques


Spécifications techniques - Photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


Valeurs maximales absolues (TC = 25°C)

Paramètre

Symbole

Notation

Unité

Tension inverse

VRmax

20

V

Température du boîtier de fonctionnement

HAUT

-40 ~ +85

°C

Température de stockage

TCT

-55 ~ +120

°C

Caractéristiques électro-optiques (TC = 25°C)

Paramètre

Symbole

Conditions d'essai

Min.

Typ.

Max.

Unité

Diamètre de la zone active

φ

-

-

1

-

mm

Gamme spectrale

λ

-

900

-

1650

nm

Réactivité à 1310 nm

R

VR = -5V

0.85

0.9

-

A/H

Réactivité à 1550 nm

R

VR = -5V

-

0.95

-

A/H

Tension inverse de fonctionnement

VR

-

-

-5

-

V

Courant sombre

Identifiant

VR = -5V

-

1.5

5.0

n / A

Capacité de jonction

C

VR = -5 V, f = 1 MHz

-

50

80

pF

Bande passante de 3 dB

PC

VR = 0 V, RL = 50 Ω

-

40

-

MHz


Détails du produit-Photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


Qu'est-ce qu'une photodiode PIN InGaAs ?

Une photodiode InGaAs PIN est un détecteur à semi-conducteur haute sensibilité conçu pour la détection optique proche infrarouge (NIR). Basé sur une structure semi-conductrice P-I-N, il convertit les photons incidents en photocourant avec une excellente linéarité et stabilité.

Fonctionnant de 900 nm à 1 700 nm, les photodiodes InGaAs offrent une réactivité élevée sur les bandes de communication optique et la région SWIR, ce qui les rend adaptées aux tests de fibres optiques, à la surveillance de la puissance optique, à la spectroscopie et aux applications de détection.

La zone active de 1 mm offre une capacité de collecte de lumière améliorée et une tolérance de couplage améliorée, offrant un excellent équilibre entre sensibilité, flexibilité d'alignement et vitesse de détection.


Points forts des performances : photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


• Haute réactivité et efficacité quantique

• Courant d'obscurité ultra faible

• Faible capacité et réponse rapide

• Large couverture spectrale

• Pack hermétique TO46


Dimensions du colis et définition des broches : photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


Type d'emballage : boîte métallique hermétique TO46, fenêtre plate (TO-CAN 3 broches)

Diamètre de la boîte : φ5,4 ± 0,2 mm (extérieur), φ4,7 ± 0,1 mm (intérieur)

Diamètre de la fenêtre : φ3,9 ± 0,1 mm

Configuration des broches (vue de dessous) : broche 1 = anode (côté P), broche 2 = boîtier (GND), broche 3 = cathode (côté N)


 

 


Informations de commande


Nomenclature du modèle

TPB - X X À XX - X - X

Exemple : BPD-1STO46B-FW

Champ

Code

Description

Série de produits

TPB

Série de photodiodes en boîte

Taille de la zone active

1S

1S = 1 mm de diamètre (2S=2 mm, 3S=3 mm, 5S=5 mm)

Type de colis

TO46

TO46 = paquet TO46 (TO5=TO5)

Type de broche

B

B = brochage de type B

Type de fenêtre

FW

FW = Fenêtre Plate


Fiche technique - Photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


Fiche de données


Délai de mise en œuvre

• Unités standard (modèles en stock) : 3 à 5 jours ouvrés

• Production standard : 10 à 15 jours ouvrables

• Commandes en volume : veuillez nous contacter pour connaître le calendrier de production.

• Expédition internationale : environ 5 jours ouvrés (DHL/UPS/FedEx Express)

• Service accéléré : disponible sur demande


Notes de fonctionnement et manipulation - Photodiode PIN InGaAs 1 mm TO46


• Les photodiodes sont des appareils sensibles aux décharges électrostatiques (ESD). Utilisez toujours une protection ESD appropriée.

• Évitez de toucher les câbles directement avec les doigts nus pour éviter toute contamination et tout dommage ESD.

• Stockez les appareils inutilisés dans un emballage résistant aux décharges électrostatiques ou dans des plateaux conducteurs pour éviter tout dommage dû aux décharges électrostatiques.


Balises actives: Chine Photodiode PIN InGaAs TO46 de 1 mm Fabricant, fournisseur, usine
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Informations de contact
  • Adresse

    Salle 901, bâtiment A, Rongchao New Era Plaza, No. 3 Lanqing 1st Road, Luhu Community, Guanhu Subdistrict, Longhua District, Shenzhen, 518110, Chine

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